「極端紫外線（EUV）」は、光の波長が短いのが特徴で、それを利用することによって、半導体の記憶容量は現在より最大約1,000倍に高まるといわれています。
その技術を可能にしたのは、半導体に回路パターンを感光させて印刷するときに、電子数個分にあたる10ナノメートル台の線幅を描けることだといわれています。

EUV露光の技術や設備を国内外の多くの企業に開放することで、次世代半導体開発のサポート役を担う開発センターの今後が期待されます。